用不同技术制造的钽电容器的故障模式
2020-04-13 17:57:54
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我们对于介质击穿的研究意在找出可 以对这种现象加以描述的基本参数系列，及其 与最终产品的质量和可靠性之间的关系。基本 上，介质击穿可由一系列的物理过程产生：焦 耳热引起电导增加，从而导致热击穿；雪崩击 穿和场致发射击穿；两电极之间的引力，电化 学衰变，枝状结晶组织等原因导致的机电崩塌 等等。介质击穿导致绝缘体和两极的击毁，主 要由于熔化和蒸发和有时随后发生热逃逸。为 掌握钽MIS（金属-绝缘体-半导体）异晶结构 的更多数据和找到与介质击穿之间的关系，我 们研究在两中模式下的电流/电压依赖工作参 数（在正常模式下，钽电极被施加正偏压；在 相反模式下，钽电极被施加负偏压）。
击穿击毁不仅源于突发的击穿情况，而 且由于随后的电流流动，从而使击穿的起源和 动力难于解释。