关于采用不同技术制造的钽电容器的故障模式（总结）
2020-04-13 17:44:14
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根据 V-A 涵数, 采用MnO2 /二氧化锰或 导电聚合物制造的固体钽电容器可被当作一种 MIS (金属-氧化物-半导体)二级管，并且其反模 式与正向作业的 MIS 二级管一致。
如采用 MnO2 /二氧化锰作为负极材料， 在正常模式下的热击穿会因能量损耗而伴随电 击穿。然而，在反模式下，焦耳热会产生电导 的增加，而导致击穿发生。正反馈循环然后发 生：温度-电导-焦耳热-温度升高。
在另一方面，导电聚合物电容器的V-A 涵数，具有第一部分，低密度区域，被描述为 正方律关系（曲线）。其与电流注入绝缘层 （陷阱-嵌层-极限）关连。由于空间电荷的统 一陷阱分布对电流注入的限制，最终伴随二次 方关系（曲线）。
在 25 – 35V（三倍额定电压）测试电压 条件下引发的MnO2 /二氧化锰电容器的电击穿 导电聚合物介子层击穿出现在较低电压 10 – 20V (一至两倍于额定电压)。
在电击穿实验中，MnO2 /二氧化锰部件 被证明比经过实验的任何一种导电聚合物技术 具有更强的自愈能力。在测试中，未发现足够 的自愈过程来支持导电聚合物材料具有自愈能 力的论点。为了解导电聚合物材料的物理特性 和潜在用途，还需要做进一步的工