关于钽电容的放电时间问题
2020-06-16 14:05:58
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" 去耦钽电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作设，V0 为钽电容上的初始电压值；V1 为钽电容最终可充到或放到的电压值；Vt 为t时刻钽电容上的电压值。
则，
Vt="V0"+（V1-V0）* [1-exp(-t/RC)]
或，
t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]
例如，电压为E的电池通过R向初值为0的钽电容C充电V0=0，V1=E，故充到t时刻电容上的电压为：
Vt="E"*[1-exp(-t/RC)]
再如，初始电压为E的电容C通过R放电
V0=E，V1=0，故放到t时刻电容上的电压为：
Vt="E"*exp(-t/RC)
又如，初值为1/3Vcc的钽电容C通过R充电，充电终值为Vcc，问充到2/3Vcc需要的时间是多少？
V0=Vcc/3，V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3，
故
t="RC"*Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC*Ln2
=0.693RC
注：以上exp()表示以e为底的指数函数；Ln()是e为底的对数函数
本文编辑钽电容生产厂家－松填科技(new.sont.cc)技术部
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